IXFY8N65X2
MOSFET N-CH
Nambari ya Sehemu
IXFY8N65X2
Mtengenezaji/Chapa
Mfululizo
HiPerFET™
Hali ya Sehemu
Active
Ufungaji
-
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Surface Mount
Kifurushi / Kesi
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Kifurushi cha Kifaa cha Wasambazaji
TO-252AA
Upotezaji wa Nguvu (Upeo)
150W (Tc)
Aina ya FET
N-Channel
Kipengele cha FET
-
Mimina hadi Chanzo Voltage (Vdss)
650V
Ya Sasa - Mifereji ya Kuendelea (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Kitambulisho
5V @ 250µA
Malipo ya Lango (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Uwezo wa Kuingiza (Ciss) (Upeo zaidi) @ Vds
790pF @ 25V
Voltage ya Kuendesha (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Upeo)
±30V
Omba Nukuu
Tafadhali kamilisha sehemu zote zinazohitajika na ubofye "Wasilisha", tutawasiliana nawe baada ya saa 12 kupitia barua pepe. Ikiwa una tatizo lolote, tafadhali acha ujumbe au barua pepe kwa [email protected], tutajibu haraka iwezekanavyo.
Katika Hisa 8461 PCS
Maelezo ya Mawasiliano
Bidhaa Zinazohusiana
Maneno muhimu ya IXFY8N65X2
IXFY8N65X2 Vipengele vya elektroniki
IXFY8N65X2 Mauzo
IXFY8N65X2 Msambazaji
IXFY8N65X2 Msambazaji
IXFY8N65X2 Jedwali la data
IXFY8N65X2 Picha
IXFY8N65X2 Bei
IXFY8N65X2 Toa
IXFY8N65X2 Bei ya chini
IXFY8N65X2 Tafuta
IXFY8N65X2 Ununuzi
IXFY8N65X2 Chip